گزارش کارسوق سایکوفیزیک

کارسوق سایکوفیزیک

در تاریخ پنجشنبه ۲۱ اردیبهشت ۱۳۹۶ کارسوق سایکوفیزیک، از اولین سری کارسوق‌های علوم اعصاب‌شناختی باشگاه فیزیک در دبیرستان علامه‌حلی برگزار شد. سایکوفیزیک دانش اندازه‌گیری کمّی رابطه میان محرک‌های فیزیکی و پاسخ‌های ادراکی انسان است.

در این کارسوق شرکت‌کنندگان در طی تعدادی کارگاه ابتدا به صورت عملی آموزش دیدند. در طول کارسوق با استفاده از اطلاعاتی که در طی کلاس‌ها به دست می‌آوردند، برنامه‌هایی را به عنوان تمرین با استفاده از نرم‌افزار سایکوپای (یک کتابخانه نرم‌افزاری با استفاده از زبان برنامه‌نویسی پایتون) می‌نوشتند. این برنامه‌ها شامل تست‌هایی مثل اندازه‌گیری سرعت عکس‌العمل (Reaction Time)، خطای دید و … بود.

برنامه زمانی کارسوق به این صورت بود که شرکت‌کنندگان در کلاس‌هایی به صورت بخش‌های ۱ ساعته که بین هر کدام حدود ۱۰ دقیقه استراحت بود حضور می‌یافتند. در ابتدای هر بخش مباحث مختلف مثل ریاضیات، تحلیل داده‌ها، نمودار، برنامه‌نویسی با سایکوپای، سایکوفیزیک و … را فرا‌می‌گرفتند. سپس با استفاده از مباحث، یک برنامه یا تست سایکوفیزیک می‌نوشتند و خودشان با انجام دادن تست، داده‌های خروجی را تحلیل می‌کردند.

کارسوق از ساعت ۸:۳۰ آغاز شد و تا ساعت ۶ بعد‌از ظهر همان‌روز ادامه یافت. در بخش آخر کارسوق، پروژه‌ای به دانش‌آموزان گفته‌شد و قرار شد که این پروژه را با استفاده از آموزش‌هایی که دیدند انجام دهند. سپس آن را در تاریخ ۱۰ تیر تحویل‌دهند و با نظر مدرس کارسوق، گواهینامه خود را دریافت کنند.

شرکت‌کنندگان کارسوق دانش‌آموزان دوره دوم دبیرستان تا دانشجویان کارشناسی رشته‌های علوم‌پایه و مهندسی بودند.

 

در ادامه نیز می‌توانید تصاویری از این کارسوق را مشاهده کنید.

مصاحبه حضوری اعضای جدید باشگاه فیزیک انجام شد.

 

روز پنجشنبه در اخرین روز از فروردین ماه ۹۶ نسل جدید باشگاه فیزیکی ها با گذراندن مصاحبه حضوری یک قدم دیگر به این محفل نزدیک شدند.
این افراد که طی فراخوان باشگاه فیزیک برای ثبت نام اعضای فعال به سایت هلیوفیزیک آمده و ثبت نام اینترنتی انجام دادند در روز پنجشنبه در دبیرستان علامه حلی تهران با هیئت ناظر معلمین مصاحبه انجام دادند و ثبت نامشان در باشگاه قطعی شد.

ویدیو: مدار مارکس، ولتاژ بالای پالسی!

در این ویدیو یک مدار افزاینده ولتاژ خواهیم دید که مدار مارکس نامیده میشود.
این مدار با دریافت ولتاژ بالای DC، آن را افزایش داده و یک جریان پالسی را رقم خواهد زد. این مدار با استفاده از n خازن و شارژ موازی و تخلیه سری آن ها، n برابر ولتاژ ورودی را افزایش خواهد داد.

اجزای مهم مدار:
– یک منبع جریان DC ولتاژ بالا (در اینجا در حدود ۱۴ kv)
– خازن با ضریب شکست و ظرفیت کافی(متناسب با ولتاژ خروجی مورد نظر و ولتاژ ورودی متغیر است)
– مقاومت با ضریب شکست بیشتر از هوا(تعداد: دوبرابر خازن ها)
– محل تخلیه کوچک (spark gap) میتوانید با استفاده از چند قطعه سیم مسی این فضا را تامین کنید.
– دو سیم وصل به مدار برای خروجی نهایی
محل های تخلیه کوچک (spark gaps) با فاصله ای که از هم دارند، و با توجه به ضریب شکست هوا، برای باز نگه داشتن مدار در حین شارژ شدن خازن ها و جلوگیری از جرقه زدن زودهنگام استفاده میشوند.سپس با شارژ شدن خازن ها، پتانسیل جرقه زدن در این محل ها و بسته شدن مدار و ایجاد خروجی نهایی فراهم میشود.این پالس ها به همین شکل ادامه پیدا میکنند.گاهی جرقه های متوالی قطع شده و خازن ها  به شارژ دوباره توسط منبع جریان مشغول میشوند.

-شمای کلی مدار مارکس
– نمونه ای از یک مدار مارکس بسیار بزرگ ساخته شده در آلمان
منبع:

ویدیو: زنگوله الکتریکی

زنگوله الکتریکی!
Electrical urceolate!
در این ویدیو، با استفاده از :

  • ولتاژ بالا(حدود ۱۴ kv)
  • دو عدد لیوان فلزی به عنوان پایه و
  • یک جسم کوچک فلزی و یک چوب و نخ برای نگه داشتن این جسم بین دو لیوان

شاهد نوسان جسم فلزی بین دو لیوان هستیم.

شرح پدیده:
با نزدیک شدن جسم فلزی به یکی از لیوان ها، جسم با القای بارالکتریکی توسط لیوان باردار شده و به دلیل هم نام بودن بار جسم و لیوان، از آن دور شده و به جذب لیوان مقابل با بار ناهمنام می شود. به همین ترتیب پس از برخورد با لیوان مقابل و دشارژ شدن و گرفتن بار لیوان مقابل همین روند دوباره تکرار خواهد شد و به همین علت این نوسان رخ می دهد.

ویدیو: مقاومت متغیر با گرافیت!!!

در این ویدیو شاهد ساخت یک مقاومت متغیر ساده، با استفاده از گرافیت(مغز مداد) هستیم.

گرافیت به دلیل رسانایی که دارد میتواند به عنوان یک عنصر الکترونیکی مورد استفاده قرار بگیرد. رسانایی گرافیت به دلیل وجود الکترون آزاد کربن در مولکول های آن است. از طرفی، هر ماده ی رسانا دارای مقداری مقاومت الکتریکی نیز می باشد که از عبور الکتریسیته در آن جلوگیری میکند. این مقدار بسته به خاصیت رسانایی(تعداد الکترون های آزاد و یا یون ها) هر ماده، متغیر است.

مثلا در فلزات عموما مقاومت الکتریکی پایین تر از نافلزات است. در بین نافلزات، گرافیت، تنها رسانای الکتریسیته است که مقاومت الکتریکی بالایی هم دارد.

با استفاده از این خاصیت رسانایی و مقاومت الکتریکی بالا، میتوان در مساحت کمی از گرافیت، مقاومت بالایی را شاهد بود.